Bsports必一体育开关电源为什么高频化

　　Bsports必一体育开关电源为什么高频化2024年2月25日-29日，邦际电力电子使用博览=会（APEC）正在 美邦洛杉矶举办，由I EEE -资产使用学会(IAS)、电力电子学会(PELS)Bsports必一体育分布式电源的论文eps电源和ups的区别，，美邦○电源修设商协会(P○SMA) 笼□络主办，环球着名电力电子企业将◁ 会聚于此，映现电力电子产物○和体系范围的最新手艺转机和研发收效。

　　英诺 赛科是一家环球领先的8英寸 GaN IDM企业，旨正在打制基于 高本能硅基氮化镓的 低碳开闭电源为 什么 高频化、节能的能源生态体系。正在邦际电力电子使用博览会（APEC）上，英诺赛科携全系列新产物和优秀使○用计划，以“Fill the World wit h GaN”为主旨，映现了氮化镓 正 在□○众 场 景★中的魅□力。

　　此中，针对低压氮化镓，英诺赛科推出了几款全新使用，充电头网带你认识一下。

　　针对 BMS 使用范围，英诺 ◁…★赛△ 科开 拓◁了○★16S /120A ◁BM S 评估板，搭配100V 双指引通VGaN （ INV100FQ030A）杀青充放电职掌与爱戴。与Si 计划比拟，得益于VGaN的器件本能，该计划不单 做到○了 体 积小（○65mm*180mm），体系本钱低的上风，还杀青了最佳散热本能。

　　此中，INV100FQ030A是一款□100V… …双指 引 通 器□▽件，可正在电池处分体系、双向变换器的高侧负荷开闭、电源体系中的开闭电=道等◁ ◁范围△★杀青高 效△使▽用。

　　英诺赛科▽产物部Shawn默示：“一颗 VGaN 可能 替 换两颗共漏相■联的背靠背Si MOSFET，杀青电池充电和放电双○向开闭开闭电源为什么高频化，进一步减小导通电阻，消重损耗。VG○a N ★ 器件采用单 ★Gate 策画，通过职掌 Gate到 ■ Drain1/Dra in2 的逻辑，杀青充电爱戴可放电、放电爱戴可充电；同时大幅节减器件数目，缩小占板面积，消重具体体系本钱。”。

　　IN◁★V 100FQ030A采用… 兼 容 引 脚○ ★▽△策画，采用 FC○Q FN 4x6mm =封装，客户可能凭○据分别的使用 需求举办规格选型。

　　为便于客户验证和导入，英诺赛科△同步 供应 B=MS 体系治理计划，策画计划涵盖低边同口、高边同口Bsports必一体育智能数字显示仪表！、高边分口等。INV100FQ□◁030A ■正 在电□池处分体系 (BMS)○ □中再○现出★显著上风，具备浩瀚的市集潜力。

　　为○了知 足 数 ★据核心高★功率密度的需求，1kW 48V-12V计划正在原边（100V器件）和副边（40V器件）都采用了GaN，同时为了最 大节制地降低功率■密度并简化电道，100V○ 器件选=用了英诺赛科最新的集成SolidGa N（ISG3201），配合业内领先的磁集成矩阵变压器策画，将开闭频率擢升至1MHz，具体计划体积仅39mmx26m◁mx7。5mm， 峰值恶果达98。5%。

　　SolidGaN ISG3201 是一★颗耐压 =100V ◁的半桥氮▽化镓 合 封芯片，其内部□■集成了■ △★2颗 100V/3。2mΩ 的巩固型 GaN ○和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回道和功率回道，明显消重寄生电感和开闭尖峰， 进一□步 降○低▽1000W 48V △电源模块 ○体◁系的具体本能 ○和○◁牢 ★…靠性。产物面积（5mmx6。5mm）仅★略 大于单颗程序 5x6 Si 器件，相对待Si 计划的PCB 占板…面积减小了73%。针对谐振软开闭使用，GaN 的软○开闭FOM 仅为 Si 的45%，这就意味着正在高频□软 开闭使用中，100V Ga○N ◁的本能尤其★出○色。

　　同时，该芯片还具有独立的 高侧▽和低侧PWM 信号输入，并支柱TTL电平驱动，可由专用 职掌器或通 =用MCU举办驱动职 掌，是数据核心模块电源，电机驱动以 及○D类功率放大器等48V电源体…系的最 佳遴选。

　　INN040FQ015A 是一颗耐压 40V 导阻 1。5mΩ 的巩固型氮化镓晶体管，采用FCLGA 5*4 封装，体积小。